Buried heterostructure AlGaAs lasers on semi-insulating substrates

机译：半绝缘基板上的埋入异质结构AlGaAs激光器

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Buried heterostructure (BH) AlGaAs lasers were fabricated on Cr-doped semi-insulating substrates. Low threshold current (8 mA/μm stripe width for cavity length of 300 μm), a high differential quantum efficiency (55%), and stable transverse mode operation were realised.

机译：在掺铬的半绝缘衬底上制造了埋入异质结构（BH）的AlGaAs激光器。实现了低阈值电流（腔长度为300μm时条带宽度为8 mA /μm），高差分量子效率（55％）和稳定的横向模式操作。

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作者
Bar-Chaim, N.; Katz, J.; Ury, I.; Yariv, A.;
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作者单位

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年度 1981
总页数
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